为了准确反映 SiC MOSFET 在不同温度下的电气特性,对影响 SiC MOSFET 电气特性的关键参数进行了分析,提出了一种 SiC MOSFET 等效电路模型。首先,根据 SiC MOSFET 阈值电压和跨导随温度变化的规律,采用函数拟合的温控电源模型对 SiC MOSFET 的阈值电压和漏极电流进行补偿;其次,考虑寄生电容与极间电压的关系,采用电容子电路和可变电容模型对 SiC MOSFET 的寄生电容进行等效模拟,根据 SiC MOSFET 体二极管对其静、动态特性的影响,利用独立二极管模型描述体二极管特性,进而建立 SiC MOSFET 的等效电路模型。最后,在不同温度条件下,对该模型进行了仿真并与实验测试结果进行了对比。结果表明所建模型较为准确地描述 SiC MOSFET 在较宽温度范围内的静、动态特性,验证了模型的有效性。
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