为了准确反映SiC MOSFET在不同温度下的电气特性 ，对影响SiC MOSFET电气特性的关键参数进行了分析，提出了一种SiC MOSFET等效电路模型。首先 ，根据SiC MOSFET阈值电压和跨导随温度变化的规律，采用函数拟合的温控电源模型对SiC MOSFET的阈值电压和漏极电流进行补偿 ；其次 ，考虑寄生电容与极间电压的关系 ，采用电容子电路和可变电容模型对SiC MOSFET的寄生电容进行等效模拟 ，根据SiC MOSFET体二极管对其静 、动态特性的影响 ，利用独立二极管模型描述体二极管特性 ，进而建立SiC MOSFET的等效电路模型。最后，在不同温度条件下，对该模型进行了仿真并与实验测试结果进行了对比。结果表明所建模型较为准确地描述SiC MOSFET在较宽温度范围内的静、动态特性，验证了模型的有效性。