为了准确反映 SiC MOSFET 在不同温度下的电气特性，对影响 SiC MOSFET 电气特性的关键参数进行了分析，提出了一种 SiC MOSFET 等效电路模型。首先，根据 SiC MOSFET 阈值电压和跨导随温度变化的规律，采用函数拟合的温控电源模型对 SiC MOSFET 的阈值电压和漏极电流进行补偿；其次，考虑寄生电容与极间电压的关系，采用电容子电路和可变电容模型对 SiC MOSFET 的寄生电容进行等效模拟，根据 SiC MOSFET 体二极管对其静、动态特性的影响，利用独立二极管模型描述体二极管特性，进而建立 SiC MOSFET 的等效电路模型。最后，在不同温度条件下，对该模型进行了仿真并与实验测试结果进行了对比。结果表明所建模型较为准确地描述 SiC MOSFET 在较宽温度范围内的静、动态特性，验证了模型的有效性。