针对多芯片功率模块MCPMs（multi鄄chip power modules）从功率模块布局设计角度对碳化硅SiC（sili鄄con carbide） MOSFET的并联不均流进行了研究。理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因，在忽略器件自身差异的情况下，重点分析了非对称布局对功率管并联不均流的影响。在此基础之上，以集成化大功率固态功率控制器SSPC（solid鄄state power controller）为背景，提出了3种适用于大功率SSPC集成功率模块的非对称布局，分别对3种布局的不均流电流进行了理论分析，并利用Ansoft Q3D提取寄生参数在Saber中对模块的动态开关过程进行仿真。仿真结果表明，通过合理的布局可以减小非对称布局引起的寄生电感不对称对SiC MOSFET并联不均流造成的影响。