提出采用五区多重场限环 FRM-FLRs(five-region multistep field limiting rings)终端设计并流片,研制 10 kV P 沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管 SiC IGBT(silicon carbide insulated gate bipolar transistor)终端。通过 Silvaco TCAD软件仿真,对比研究传统等间距场限环 ES-FLRs(equally spaced field limiting rings)终端和五区多重场限环终端对器件击穿特性的影响。仿真结果表明,五区多重场限环终端具有更均衡的近表面电场分布,减缓电场集中,优化空间电荷区横向扩展,且击穿电压可达到 14.5 kV,而等间距场限环终端击穿电压仅为 7.5 kV。同时,分别对五区多重场限环终端,以及采用此终端结构的 P沟道 SiC IGBT进行流片验证。测试结果表明,五区多重场限环终端可以实现 12.2 kV的击穿电压;P沟道 SiC IGBT的击穿电压达到 10 kV时,漏电流小于 300 nA,并且栅源电压为-20 V,集电极正向电流为-10 A时,器件的正向导通压降为-8 V。
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