作为一种应用广泛的基板金属镀层，镍在烧结过程中易发生氧化，形成烧结银-镍高性能互连接头较为困难，相关研究报道较少。提出了一种多尺度银焊膏互连材料和烧结银-镍无压互连工艺，研究了在220~300℃烧结10~60 min对烧结银-镍互连封装的IGBT电源模块的力、热和电性能的影响。研究结果表明：得益于多尺度银焊膏的致密堆积烧结，在270~300℃高温烧结30~60 min时镍氧化减缓，在270℃无压烧结30 min互连的芯片抗剪切强度在40 MPa以上，热阻和静态电特性与仿真结果和IGBT芯片数据手册差异性<0.5%，表明无压烧结银-镍互连IGBT芯片具有较高的连接强度、导热和导电性能，可以满足半导体电源模块的互连封装要求。