提出采用五区多重场限环 FRM-FLRs（five-region multistep field limiting rings）终端设计并流片，研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管SiC IGBT（silicon carbide insulated gate bipolar transistor）终端。通过Silvaco TCAD软件仿真，对比研究传统等间距场限环ES-FLRs（equally spaced field limiting rings）终端和五区多重场限环终端对器件击穿特性的影响。仿真结果表明，五区多重场限环终端具有更均衡的近表面电场分布，减缓电场集中，优化空间电荷区横向扩展，且击穿电压可达到14.5 kV，而等间距场限环终端击穿电压仅为7.5 kV。同时，分别对五区多重场限环终端，以及采用此终端结构的P沟道SiC IGBT进行流片验证。测试结果表明，五区多重场限环终端可以实现12.2 kV的击穿电压；P沟道SiC IGBT的击穿电压达到10 kV时，漏电流小于300 nA，并且栅源电压为-20 V、集电极正向电流为-10 A时，器件的正向导通压降为-8 V。