高性能 GaN 常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构 GaN 常关型 MOSFET 以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构 GaN 常关型 MOSFET 需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷，影响器件的稳定性。首先，提出选择区域外延方法制备槽栅结构 GaN 常关型 MOSFET，期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤；再通过改进选择区域外延工艺（包括二次生长界面和异质结构界面的分离及抑制背景施主杂质），使得二次生长的异质结构质量达到标准异质结构水平。研究结果表明，选择区域外延方法能够有效保护栅极导通界面，使器件具备优越的阈值电压稳定性；同时也证明了选择区域外延方法制备槽栅结构 GaN 常关型 MOSFET 的可行性与优越性。