最近，很多用于全SiC集成技术的横向扩散MOSFET（LDMOS）已被报道，并通过TCAD模拟或实验进行了深入研究。本文提出了一种高漂移区电子迁移率的1200V SiC LDMOS，采用了沟槽栅极和N型埋层（NBL）结构。通过Sentaurus Process Tool进行校准模拟，该工具可以高精度地模拟离子注入、退火和氧化过程。本文提出的新型SiC LDMOS结构可以通过控制载流子的移动，从而减弱SiC/SiO2界面态对载流子的影响，提高SiC LDMOS的电子迁移率。此外，由于NBL结构具有电荷补偿作用，器件的击穿电压（BV）也得到了改善。与传统LDMOS相比，在漏源电压（VDS）为400V的条件下，新型SiC LDMOS漂移区的电子迁移率提高了2倍至8倍，比导通电阻降低了29.3%，BV提高了20.5%。