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高漂移区电子迁移率的1200V 4H-SiC沟槽栅横向MOSFET的仿真研究
会议论文(仅标题+作者)
作者:
候祥雨
,
李雪琪
,
洪静静
,
顾勇
,
马杰
,
张龙
,
刘斯扬
,
孙伟锋
页码:
2358 - 2363
论文集:
2023中国电力电子与能量转换大会(CPEEC 2023)暨中国电源学会第二十六届学术年会(CPSSC 2023)论文集
650V增强型氮化镓功率HEMT高温特性研究
会议论文(仅标题+作者)
作者:
陶心怡
,
李宁波
,
李胜
,
张弛
,
刘斯扬
,
孙伟锋
页码:
343 - 346
论文集:
中国电源学会第二十三届学术年会论文集
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