输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路及Buck变换器被搭建，用于对比研究1200 V SiC MOSFET和1200 V Si IGBT的性能。分析了SiC MOSFET的优缺点。分析结果表明：SiC MOSFET在高温结温下具有稳定的阻断能力；因其固有的低开关损耗，SiC MOSFET适用于高功率、高频率应用；但考虑到其较小的跨导和较高的通态电阻，SiC MOSFET需要采用更高的栅极电压摆幅（−5/+20 V）驱动；由于其快速开关速度，SiC MOSFET对寄生参数敏感。