碳化硅SiC(silicon carbide)是目前最为成熟的宽禁带半导体材料之一,在高压、高温、高频等领域,碳化硅器件的研究和应用已成为当前的研究热点。针对碳化硅器件目前的生产使用状况,简述了与碳化硅主要生产商CREE紧密合作的FREEDM中心的研究情况,重点分析了高压SiC MOSFET,IGBT,ETO,JFET在SST(solid state Transformer)和FID(Fault Isolation Device)中的应用。针对各类器件本身的特性,FREEDM中心有针对性的选择了相关应用领域,并开发了多代SST和FID的拓扑,许多重要的研究成果引领了全球高压SiC器件的研究趋势。