为在Matlab/Simulink环境下准确预测碳化硅(Silicon Carbide)功率器件在实际工况下的结温变化，针对SiC MOSFET器件提出了一种基于时变温度反馈的电热耦合模型建模方法。该方法能更好地反映SiC MOSFET在导通和开关过程中的性能特点，模型从器件物理分析和工作机理出发，将功率损耗和热网络模块引入建模，实时反馈器件结温和更新温度相关参数。采用Cree C2M0160120D SiC MOSFET器件进行测试，根据制造商数据手册和测试实验中提取，仿真结果证实了该建模方法的正确性，为器件的寿命预测和可靠性评估提供了研究基础。