为了基于 PSpice 电路对电动汽车 DC/DC 变换器中的碳化硅(SiC)MOSFET 的工作特性进行实时准确地仿真,针对 SiC MOSFET提出了一种新型的电压控制电流源型 VCCST(voltage–controlled current source type)PSpice仿真模型。首先,为了获得 SiC MOSFET 准确的静态特性建立了电压控制电流源作为 SiC MOSFET 的内核,以描述 SiC MOSFET 的转移特性和输出特性;然后,为了获得 SiC MOSFET 准确的动态特性,建立了基于电压控制电流源与恒定电容的栅漏电容(CGD)子电路模型,所提 SiC MOSFET VCCST PSpice 模型在简化参数提取方法的同时,能够满足模型准确性的要求;最后,建立的 SiC MOSFET VCCST PSpice 模型应用于 Boost 变换器进行仿真和实验,并对 SiC MOSFET 的特性进行测试。测试结果验证了所提 SiC MOSFET VCCST PSpice 仿真模型的准确性和实时性,从而为 SiC MOSFET 在电动汽车 DC/DC 变换器中的设计和应用提供了便利。