为了基于PSpice电路对电动汽车DC/DC变换器中的碳化硅(SiC)MOS FET的工作特性进行实时准确地仿真，针对SiC MOSFET提出了一种新型的电压控制电流源型VCCST (voltage-controlled current source type)PSpice仿真模型。首先，为了获得SiC MOSFET准确的静态特性建立了电压控制电流源作为SiC MOS FET的内核，以描述SiC MOSFET的转移特性和输出特性；然后，为了获得SiC MOSFET准确的动态特性，建立了基于电压控制电流源与恒定电容的栅漏电容(CCD) 子电路模型 ，所提SiC MOSFET VCCST PSpice模型在简化参数提取方法的同时，能够满足模型准确性的要求；最后，建立的SiC MOSFET VCCST PSpice模型应用于Boost变换器进行仿真和实验，并对SiC MOSFET的特性进行测试。测试结果验证了所提SiC MOSFET VCCST PSpice仿真模型的准确性和实时性，从而为SiC MOSFET在电动汽车DC/DC变换器中的设计和应用提供了便利。