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会员 适用于电动汽车的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究
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  • 2016/07/01
摘要
为了在仿真中准确描述SiC MOSFET在电动汽车DC/DC变换器中的工作特性,本文提出了一种新型电压控制电流源型(VCCS) PSpice模型。首先,为获得良好的静态特性曲线,采用电压控制电流源作为模型核心,能准确描述转移特性与输出特性;其次,为获得良好的动态特性曲线,通过建立包含电压控制电流源和恒定电容的子电路,实现了栅漏电容(Cgd)的电压依赖性。所提出的SiC MOSFET VCCS PSpice模型在精度和参数提取简易性方面具有优势。在Boost变换器上的仿真与实验结果验证了SiC MOSFET VCCS PSpice模型的正确性与有效性,从而为电动汽车DC/DC变换器设计提供了便利。
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