本文对比研究了商用共源共栅型氮化镓场效应晶体管（Cascode GaN FET）和p型GaN栅高电子迁移率晶体管（p-GaN HEMT）的高温特性。研究结果表明由于器件结构上的差异，两种器件的高温特性有很大不同。相比Cascode GaN FET，p-GaN HEMT在高温时的阈值电压偏移更小，但栅漏电流的增加更为明显。同时，两种器件的导通电阻在高温时均有明显增加。另外，高温还会导致两种器件的动态电学参数发生不同的变化，利用解析模型可以得出结论，主导p-GaN HEMT动态电学参数变化的因素是高温下的电子迁移率降低，而主导Cascode GaN FET动态电学参数变化的因素是高温下的阈值电压降低。