半桥功率因数校正PFC(power factor correction) 拓扑由于其具有较少的电流回路器件数，因而导通损耗小、效率高。但是，该拓扑中开关器件电压应力大，因此如果选用高压的IGBT作为开关器件，则开关损耗很大。新型的碳化硅MOSFET由于兼顾了高耐压与低通态电阻，其具有较小的开关损耗，可以降低开关损耗，尤其是关断损耗。但由于高频工作时其开通损耗仍然较大，严重制约变换器效率的提高。因此，利用碳化硅MOSFET优良的开关特性，采用电感电流三角波模式(TCM)的控制方式，使器件工作在零电压开通状态下，进一步降低开关损耗。针对这种控制方式，详细叙述了各个关键参数的计算，并设计搭建了一台1100W的全碳化硅半桥功率因数校正变换器，其达到了较高的效率，峰值效率达到了99.2%。