SiC MOSFET（silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）具有优异的器件特性，受到学者广泛关注。在部分应用中，以SiC高频开关器件替代Si基器件可显著提升变换器的开关速度、结温工作范围及功率密度。然而，由于SiC与Si器件存在诸多差异，直接替换可能在实际应用中引发诸多问题，如随着工作频率升高带来的严重串扰和EMI问题。相关研究已有大量报道，但目前尚未见到对现有工作的系统性综述，导致后续研究重点不清晰。本文基于SiC MOSFET与Si MOSFET/IGBT（insulated gate bipolar transistor）的静态与动态特性对比，从SiC MOSFET建模、栅极驱动设计、EMI抑制以及拓扑与控制策略选取等四个方面对相关研究进行综述，给出SiC MOSFET应用的关键技术。