SiC MOSFET(silicon carbide metal–oxide–semiconductor field–effect transistor)以其优越的特性受到国内外学者的广泛关注,采用 SiC 器件的变换器能够采用高的开关频率、适应高温工作,实现高的功率密度,在一些应用场合能够代替 Si 基高频开关器件而显著提高电能变换装置的性能。然而,SiC 器件与 Si 器件存在较大的差异,在实际应用中直接替换使用会存在诸多的问题,例如提高工作频率后产生的桥臂串扰、电磁干扰 EMI(electromagnetic interference)等问题。目前已有大量关于 SiC MOSFET 应用研究的文献,但大部分都是针对 SiC MOSFET 应用中个别问题的研究,尚缺少对 SiC MOSFET 应用研究成果的系统性归纳与总结的文献。首先基于对 SiC MOSFET 与 Si MOSFET/IGBT(insulated gate bipolar transistor)的静态、动态特性的对比,总结出 SiC MOSFET 在实际应用中需要关注的重点特性;然后从 SiC MOSFET 建模、驱动电路设计、EMI 抑制以及拓扑与控制方式的选择等方面对已有的研究成果进行归纳与评述;最后指出了 SiC MOSFET 在应用中所需要研究解决的关键问题。