氮化镓功率器件以其优异的高速、高效特性而有望在电源转换领域取得广泛应用。在Buck开关电源应用中，系统采用GaN HEMT替换传统Si功率器件后，系统死区损耗成为阻碍系统效率提升的一个重要因素。针对GaN器件的电源转换系统死区功耗展开理论及仿真讨论，详细分析Si功率器件与GaN HEMT在Buck型开关电源系统中不同的工作机制以及死区时间对系统功耗的影响。优化结果表明，输入电压为12V、输出电压为1.2V、开关频率为700kHz的GaN基电源转换系统，在死区时间Td1=20ns、Td2=0ns、负载电流为20A的情况下系统转换效率可达到92%。