半导体器件的短路能力对变流器及保护装置设计至关重要。器件在异常工况下运行时，必须尽快切除故障，以避免器件发生灾难性击穿，因此器件所能承受的最大短路持续时间可为系统保护设计提供有力的时间支撑。本文针对Cree公司生产的1200 V/19 A SiC MOSFET（C2M0160120D）模型，设计硬件电路，测试不同直流母线电压等级下的短路电流；同时，在直流母线电压为600 V条件下，测试不同栅源电压及不同结温下的短路电流。结果表明：短路峰值电流随栅源电压升高而增大，而器件短路耐受时间则明显减小；温度对短路耐受时间影响不大。最后，本文给出了该器件的最大短路持续时间。