在高温、高压和高频的电力电子应用中,碳化硅(SiC) MOSFETs 展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映 SiC MOSFETs 的转移特性,提出了一种简化的含温控电源的 SiC MOSFETs 的 Spice 电路模型。温控模型的引入补偿了器件在宽温度范围内阈值电压的变化率和跨导系数,在 LTspice 电路仿真软件中模拟了 SiC MOSFETs 在 25℃和 125℃下的转移特性。与现有的模型相比,仿真结果与实测数据的吻合度得到了进一步的提高。