碳化硅SiC(silicon carbide) MOS FET作为新型的电力电子器件，具有不同于SiIGBT的电热特性，且其静态特性在宽温度范围内变化特性并不明确。以SiC MOSFET为研究对象，从器件的工作原理入手，结合Si IGBT对比，分析了其静态特性及寄生参数受温度的影响，并在-55℃至165℃准确测量了包括阈值电压、导通电阻、泄漏电流、输出特性及寄生参数在内的多个参数，实验结果符合理论分析。根据实验结果分析了各项性能参数的温度敏感性，结果表明：SiC MOSFET静态性能及参数与温度具有极强的相关性：与SiIGBT相比，温度依赖性更为明显，并且能够为器件结温测量及SiC MOSFET电力电子系统状态监测提供理论依据与实验基础。