航空静止变流器（ASIs）将机载直流母线电压变换为恒定400 Hz交流电压，对功率密度、效率、环境适应性、可靠性及电性能等有严苛要求。碳化硅（SiC）半导体器件具有高开关速度和高温下优异的性能，在ASIs中具有良好的应用前景，但目前针对宽禁带功率开关器件在ASIs中的应用研究仍较少。本文首先基于典型ASIs拓扑结构，分析了SiC MOSFET应用于ASIs的关键问题；然后以两级级联半桥逆变器为对象，对比了基于Si MOSFET与SiC MOSFET的逆变器损耗；对比结果表明：尽管SiC MOSFET导通损耗较高，但其总损耗更低，且随着开关频率升高，SiC MOSFET逆变器的效率优势更加显著；最后，为满足高频SiC MOSFET逆变器的驱动需求，设计了一种适应高频、宽占空比PWM信号的驱动电路，并研制了一台额定500 VA、输出115 V/400 Hz的两级级联半桥逆变器样机，验证了采用SiC MOSFET的ASIs的可行性。