以四象限整流器中IGBT为例，为混沌SPWM控制下功率开关器件进行温升分析。首先基于SolidWorks对功率器件IGBT搭建了3D模型，并将其导入Icepak中，然后通过IGBT的损耗分析模型理论计算了整流器分别工作于混沌SPWM和传统SPWM控制方式下的IGBT的损耗功率，并在Icepak中进行相应的动态仿真，仿真结果表明在同样的输出功率条件下，工作在1kHz频率时，基于Logistic映射的混沌SPWM控制下变换器功率器件温升与传统SPWM控制下的器件温升略有区别。最后，基于仿真模型搭建了温升实验平台，实验证明了仿真的正确性，并为混沌SPWM功率变换器的温升研究提供了一种分析方法。