SiC MOSFET作为宽禁带的第三代半导体，不仅开关速度快而且开关特性好，把其用于变换器具有一定的高效性，而LLC谐振变换器作为高效的DC-DC变换器一直被广泛关注。现将SiC MOSFET用作半桥LLC谐振变换器的原边开关管，进一步提升变换器的效率。零电压开通能够降低损耗，提高半桥LLC谐振变换器的效率。本文分析死区时间对零电压开通的影响，并计算了临界死区时间。通过搭建双脉冲实验平台测试了SiC MOSFET的开关性能，通过搭建半桥LLC谐振变换器，设置不同的死区时间进行对比实验。实验结果表明，死区时间过大不能实现零电压开通。