在硅基p-GaN/AlGaN/GaN异质结材料基础上，设计制备了高耐压增强型GaN功率电子器件，并研究了器件击穿电压和场板结构的关系以及不同钝化介质对器件阈值电压漂移的影响。所研制的GaN器件击穿电压达1000 V，输出电流6 A，阈值电压为1.5 V，特征导通电阻为6.5 mΩ·cm²。另外，通过选区刻蚀技术的开发，实现了增强型/耗尽型GaN器件的单片集成与多款数字电路芯片的研制。片上集成的增强型GaN器件阈值电压为1.6 V，击穿电压大于150 V；耗尽型GaN器件阈值电压为-1.1 V，输出电流密度约为500 mA/mm，为全GaN单芯片电源电路的研制奠定了基础。