杂散损耗是近场中由于电磁耦合现象在导体上引起的损耗。在功率变换器朝着更高效率、更高功率密度的发展趋势下，器件布局更加紧密，工作频率越来越高，使变换器中近场干扰效应更加明显，导致周围导体（如磁件绕组、机壳、散热器）存在杂散损耗。这样不仅影响电源效率，还会造成局部过热从而导致可靠性变差等。本文建立了气隙边缘磁场分布的模型，并从近场屏蔽效能角度出发分析了近磁场引起的导体损耗机理，说明影响损耗大小的相关因素，然后分别对绕组和结构件的杂散损耗进行分析，并通过仿真与实验验证了相关因素影响和损耗优化策略的可行性。