GaN基功率器件基于其材料优势在高压大功率领域展现出强大的应用潜力。通过设计新的结构和新的制造工艺不仅可以提高GaN基功率器件的击穿特性，而且还可以显著提高器件的可靠性。本文综述了目前提升击穿电压的技术的研究进展。内容主要包括场板（FP）结构、栅极钝化、改善缓冲层结构、衬底转移等工艺，还包括垂直型器件的研究进展。