为了保护直流固态断路器（SSCB）免受短路故障下的瞬态冲击，一种有效、经济的缓冲电路设计是非常重要的。本文重点设计了一种基于SiC MOSFET的固态断路器缓冲电路，分析了现有缓冲电路的工作原理及优缺点。在此基础上，提出了一种新型的基于金属氧化物压敏电阻（MOV）的缓冲电路，它能够降低故障时SiC MOSFET两端的过电压，同时快速吸收线路电感中的能量。讨论了所提出的缓冲电路的工作原理及设计准则，并进行了实验对比验证。