为了准确评估SiC MOSFET在全短路周期内特性退化机理，本文对短路关断散热阶段器件的退化机理进行了论证研究。首先介绍了SiC MOSFET整个短路周期内器件电热应力的分布。利用TCAD软件仿真分析了SiC MOSFET短路关断散热阶段器件栅氧层的退化机理。随后，搭建SiC MOSFET短路实验平台，实验验证了短路实验中关断负栅压会加速SiC MOSFET栅氧层退化的结论。