基于传统半桥模块的模块化多电平变换器（MMC）系统缺乏阻断直流侧故障的能力。解决这一问题的方法已成为近年来直流输电领域的一个研究热点。本文提出了一种基于逆阻型绝缘栅双极晶体管（reverse-blocking insulated gate bipolar transistor，RB-IGBT）的子模块拓扑结构。通过在子模块电路中采用逆阻型绝缘栅双极晶体管，可以在不插入额外半导体器件的情况下改变故障电流路径，从而实现阻断直流侧故障。因此，所提拓扑与已有具备故障阻断能力的拓扑相比具有较低的导通损耗。最后，搭建基于所提拓扑的模型在Matlab/Simulink环境下进行仿真，验证了直流侧故障阻断能力。