本文针对H+注入到硅中形成的缺陷浓度分布，采用STRIM软件进行了仿真。分析了注入损伤和不同退火条件下H+浓度分布对施主掺杂的影响，建立了H+注入掺杂分布的解析模型，并采用Matlab软件进行了仿真验证。结果表明，采用1MeV H+注入硅中后在350℃~500℃下退火，会形成呈高斯分布的类施主（HTD）掺杂，注入深度为5μm~20μm，峰值浓度约为其注入剂量的10倍。采用本解析模型得到的仿真曲线与文献中的实验结果吻合较好，为电力半导体器件的工艺设计与制造提供较大的自由度。