针对SiC MOSFET的短路保护问题，论文提出了一种能够同时监测i_ds和v_ds，即等同于监测器件瞬时功率的快速短路保护方法。论文首先根据SiC MOSFET发生不同短路时的波形现象，提出新的短路保护思路，并对所提短路保护电路进行了器件选型与参数设计，然后将所提短路保护电路运用于实际的短路情况，并进行了实验测试。理论分析和实验结果表明，所提SiC MOSFET短路保护方法可有效进行硬开关短路故障（HSF）和负载短路故障（FUL）的保护，短路保护动作时间可达60ns（HSF条件下）和340ns（FUL条件下）。