为研究SiC MOSFET在动态漏源应力下的退化机理，开发了一种具有dVds/dt可调功能、最高可达80 V/ns的动态反向偏置测试平台。针对商用SiC MOSFET进行动态高温反偏实验，讨论高电压变化率的动态漏源应力对SiC MOSFET电学特性的影响。实验结果显示，器件的阈值电压和体二极管正向导通电压增加，说明器件JFET区上方的栅氧层和体二极管可能发生了退化。通过Sentaurus TCAD分析了在高漏源电压及高电压变化率下平面栅型SiC MOSFET的薄弱位置，在栅氧层交界处和体二极管区域设置了空穴陷阱，模拟动态高温反偏对SiC MOSFET动静态参数的影响。