随着电力电子技术的快速发展，高频高效高功率密度凭借其小型化、轻量化等优点逐渐成为研究热点。近年来，众多研究学者在新型宽禁带器件、拓扑创新、控制算法及磁件集成等领域进行了大量研究。在新型宽禁带器件中，GaN器件以其开关速度快、导通电阻低的优良性能在高频电力电子变换器中得到了广泛的应用。但是，GaN FETs具有较差的第三象限特性。其在获得驱动电压之前，反向导通能力可以看作是一个二极管。此二极管压降较大，约为2–3 V，所以在大电流条件下会产生较大的功率损耗。此外，其反向导通时，开关管栅–源极电压VGS决定了反向导通的开启程度，VGS的负向过冲使得反向导通阻抗增大。此时，开关管通过较大反向电流时会造成较大损耗，影响变换器效率提升。如何降低该部分损耗，改善效率是一个关键的问题。为了提高变换器的效率，高频同步整流技术也是一个关键点。其核心是利用低导通电阻的开关管代替二极管进行整流。特别是在高频和大输出电流的情况下，此法能够有效降低开关管的损耗，提升变换器的效率。在变换器设计中同时采用GaN器件和同步整流技术可以有效提高变换器的工作效率和功率密度。但是，针对GaN器件的反向导通问题，如果死区时间设置较短，可能导致开关管在漏–源极电压VDS降至0之前导通，从而使开关管无法实现ZVS；如果死区时间设置较长，将导致开关管通过等效体二极管反向导通，产生额外的损耗。因此，对同步整流进行合理的死区配置尤为重要。本文基于应用GaN器件的LLC变换器，提出了一种结合同步整流技术的精确死区控制方法。与传统方法相比，通过优化死区时间，此法能够有效抑制GaN FETs的反向导通损耗。特别是在高频和大输出电流的情况下，可以提高效率。此外，还对变换器的损耗进行了详细分析。最后，搭建了一台800 W的实验样机，验证了该方法的可行性和有效性。该变换器的最高效率为98.14%，功率密度达126 W/in³。