高效的正激变换器常利用高频谐振实现磁复位及软开关。高频下，MOSFET非线性寄生电容对谐振的影响更加明显，不仅导致谐振点偏移，软开关失效，更可能令磁芯无法正常谐振复位。为计算在非线性寄生电容影响下的谐振参数，利用Simplis搭建仿真模型，并推导基本数学表达式；利用分段线性法计算谐振过程中电容充放电时间，并根据能量守恒建立谐振参数取值的约束方程组。计算所得的谐振参数可在不降低频率和占空比的条件下克服MOSFET非线性电容的影响，当激磁电感取其上限值时，磁损最小，此时可得最高效率。