提出一种集成SBD双槽栅SiC MOSFET新结构。该结构采用屏蔽栅结构具有较小的栅漏电容，同时将L型源极槽优化为“一”字型PSR层，在导通状态下扩展了沟槽侧壁电流通路，减小器件导通电阻，并且显著提升了阻断状态下器件栅氧可靠性。在源极侧壁集成SBD，有效避免反向导通状态下体二极管开通导致的双极退化现象。结果表明，与传统双槽型SiC MOSFET相比，器件栅漏电容减小81.2%，栅电荷减小41.2%，反向导通电压下降42.3%。与屏蔽栅双槽型SiC MOSFET相比，器件比导通电阻减小了42.8%。新器件结构同时实现了导通电阻和动态特性的优化设计。