随着宽禁带半导体材料的发展，应用于逆变器的开关频率也越来越高，同时也带来了较为严重的电磁干扰（EMI）问题。LCL滤波器有较好的谐波抑制效果，对称LCL滤波器在保证谐波抑制效果的同时可以提高EMI抑制效果，但是CM噪声还不能抑制在标准线以下，因此需要进一步设计CM EMI滤波器。单级CM EMI滤波器插入损耗为40 dB/dec，双级CM EMI滤波器的插入损耗可以提高到80 dB/dec，但是双级CM EMI滤波器使用的CM电容数量较多，会导致漏电流增加。基于此提出一种T型CM EMI滤波器，该滤波器采用两个CM电感和两个CM电容，在不增加电容使用数量的前提下可以把插入损耗提高到60 dB/dec，并针对T型CM EMI滤波器进行平面异构集成设计，进一步优化滤波器的体积和重量。通过搭建基于GaN的逆变器实验平台，验证了所设计的平面异构集成T型CM EMI滤波器的CM噪声抑制效果。