氮化镓（GaN）器件因具备高频特性、低栅极电荷量特性、高可靠性和高功率密度等显著优势，在开关电源及充电器领域获得广泛关注。本文研究了一种由扇出面板级封装 （FOPLP）方法制备的耗尽型氮化镓半桥合封模块。该模块与分立封装相比，器件尺寸缩减超70％，电路板布板面积降低30%，寄生电感、电阻显著减少，充分发挥了氮化镓高频特性。通过仿真对热特性、翘曲特性及寄生电感、电阻进行全面的设计评估。再利用分立器件测试仪进行静态参数及动态测试。此外，利用此模块搭建了100W电源样机，实现了95%的转换效率，验证了扇出型半桥模块在开关电源应用的可行性。