研究发现在具有高密度的钒和氮掺杂的高偏置半绝缘4H-SiC光导开关(PCSSs)中，可以获得1 GHz以上的自发振荡。这种自脉冲应该是由决定载流子寿命的钒掺杂剂和氮掺杂剂的浓度导致的。理论上，通过改变材料的载流子寿命，可以实现频率高于1 GHz的振荡频率的可调谐，用于射频和微波信号处理的应用。通过对碳化硅光导开关中自发振荡的研究，有助于进一步理解碳化硅材料与器件之间的联系，并进一步指出碳化硅光导开关中自发振荡未来的研究方向。