因氮化镓GaN（gallium nitride）材料自身的物理性质优势，该材料更适用于高温且大功率电子器件的制作。但目前GaN材料制作的功率开关器件存在反向饱和漏电现象，业界一直以进一步发挥GaN性能为目的展开研究，GaN材料的全面实用化应用也面临着性能稳定性的挑战。为此，提出一种新的半导体GaN功率开关器件结构改进方法。由于集电极-发射极击穿电压和饱和压降是衡量器件可靠性的重要指标，因此采用绝缘栅混合阳极二极管取代平面肖特基势垒二极管，解决集电极-发射集击穿电压和饱和压降输出不合理的问题。改进结构后的器件阳极由肖特基栅极和欧姆阳极金属短接组成，阴极为欧姆金属；改进器件的制作主要采用隔离、钝化、凹槽刻蚀和介质淀积等工艺，更好地实现了功率开关和功率转换功能。经仿真结果的分析可知：改进结构后的功率开关器件能有效减少反向饱和漏电状况，且改进器件的温度与电压、比导通电阻成正比，高温性能良好。