本文提出了一种适合高频和高温应用的低寄生电感、 低热阻埋入式SiC功率模块，并且对埋入式功率模块的结构布局进行了优化设计。仿真结果表明，芯片面朝下和铜连接块结构设计提升了开关性能，使模块总寄生电感低于300pH， 埋入式封装的双面覆铜和芯片布局设计提升了散热效率。双脉冲测试（DPT）和热阻测试表明，与商用封装相比，所提出的埋入式功率模块的开关损耗和结-壳电阻分别降低了23% 和35%。