碳化硅MOSFET作为新型宽禁带半导体，相比于传统硅基器件，具有耐高压、导通电阻小、抗辐射能力强等优点，更加适用于宇航电源的应用。本文在对SiC器件特性及驱动电路的研究基础上，基于原有500W高增益Si基宇航直流电源，对其进行相关技术验证。最终通过和传统Si器件的对比分析，证明了SiC器件在宇航电源应用中的可行性和高效性。