同等电压应力下的GaN器件相比Si器件具有更低的导通电阻Rds（on）（on-resistance）及门极充电电荷Qg，能够大幅降低驱动和开关损耗，有利于提高变换器效率及功率密度。在低压小功率场合的超高频VHF（very high frequency）谐振反激变换器中，提出了一种集成空芯变压器，大幅减小了印制电路板PCB（printed circuit board）面积，提高了功率密度。同时通过有限元分析FEA（finite element analysis）设计样机结构，确保变压器磁场不会影响其他器件。应用该方案搭建了3台5 V输入、5 V/2 W输出的超高频谐振反激变换器，分别为20-MHz Si方案、30-MHz GaN方案和50-MHz GaN方案。其中，50-MHz GaN方案样机实现了39.4 W/in3的功率密度，相比20-MHz Si方案提升41%。同时，在效率接近的前提下，3台变换器的高度都不足商用产品的一半。