欢迎来到中国电源学会电子资源平台
会员 基于SiC MOSFET户用光伏逆变器的效率分析
  • 6
  • 0
  • 0
  • 0
  • 2014/01/01
摘要
户用型光伏逆变器的发展趋势是高频化、高效率、高功率密度,近年来,SiC MOSFET在电机驱动、光伏逆变器等场合得到了广泛研究。本文将SiC MOSFET应用于1.6kW两级式光伏逆变器中,提高逆变器的开关频率,对前后两级独立进行了效率分析。在前级Boost中,比较了20~100kHz开关频率下,SiC MOSFET和Si MOSFET对Boost效率的影响; 在后级逆变器中,比较了100 kHz SiC MOSFET逆变器与20 kHz Si MOSFET H6逆变器的效率。搭建了1.6kW两级式光伏逆变器实验模型,采用SiC MOSFET,并在逆变器实验模型上对分析结果进行了实验验证。
  • 若对本资源有异议或需修改,请通过“提交意见”功能联系我们,平台将及时处理!
来源
关键词
相关推荐
可试看前3页,请 登录 后进行更多操作
试看已结束,会员免费看完整版,请 登录会员账户 或申请成为中国电源学会会员.
关闭
温馨提示
确认退出登录吗?
温馨提示
温馨提示
温馨提示
确定点赞该资源吗?
温馨提示
确定取消该资源点赞吗?
温馨提示
确定收藏该资源吗?
温馨提示
确定取消该资源收藏吗?
温馨提示
确定加入购物车吗?
温馨提示
确定加入购物车吗?
温馨提示
确定移出购物车吗?