提出了一种双级电磁干扰（electromagnetic interference， EMI）滤波器的磁集成方法。共模(common-mode，CM)和差模(differential-mode，DM)电感集成在单个磁芯单元中，以显著减小滤波器体积。搭建了500 W SiC-MOSFET单相逆变器用作实验平台。设计了磁集成模型，并在仿真中进行了磁路分析，以确保磁芯在满载情况下不会达到磁饱和。通过实验中的EMI测试验证了所提方法的可行性。与传统的分立无源EMI滤波器（discrete passive EMI filter，DPEF）相比， 所提出的集成EMI滤波器总体积减少了约40％，虽然集成双级EMI滤波器(integrated double-stage EMI filter，IDSEF) 的集成电感重量增加了23.8%，但IDSEF显示出更好的EMI抑制能力,并减小了4.6%的电感体积。