在本文中，我们全面地研究了在平行和垂直于沟道方向的单轴机械应变下LDMOS和LIGBT的电学性能。 对LDMOS来说，张应力有益于提升n型LDMOS的电学性能，而压应力有益于提升p型LDMOS的电学性能。 由于机械应变对体硅和反型层中载流子的输送作用不同， 因此其对LDMOS的影响与器件的栅极电压、漏极电压和器件尺寸均密切相关，栅极长度越长的器件受机械应变的影响越明显。机械应变能在不降低LDMOS击穿电压的情况下提升其漏极电流。对于LIGBT，张应力能提升其集电极电流，而压应力会导致集电极电流降低，这两种情况均不会改变LIGBT的击穿电压。在线性区，LIGBT在平行于沟道的单轴应变下的压阻系数是n型MOSFET的3倍以上。平行于沟道的张应力会降低LIGBT的导通压降，并提高其关断时间和关断损耗，而垂直于沟道的张应力能同时降低其导通压降、关断时间和关断损耗，这对于实际应用来说非常有益。