氮化镓（GaN，gallium nitride）功率器件因其出色的导通与开关特性，能够实现系统高频化与小型化，有效提升系统功率密度。但是，增强型GaN功率器件由于其栅极可靠性问题，使其在电源管理系统中无法直接替换传统硅基功率MOSFET器件。为此，提出一种预驱动芯片，通过片内集成LDO与电平移位结构，实现兼容12～15 V输入，并输出5 V信号对GaN功率器件的栅极进行有效与可靠控制，达到兼容传统硅基功率器件应用系统的要求。此外，通过多芯片合封技术，将预驱动芯片与GaN功率器件实现封装集成，降低了寄生电感，使其应用可靠性进一步提升。