测试半导体GaN功率开关器件灵敏度对掌握器件性能具有重要意义，提出一种新型半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术。通过分析半导体GaN功率开关器件的导通电阻与击穿电压关系、空穴电流与栅极电流关系，掌握功率开关器件击穿机理，在此基础上，测试其灵敏度；根据灵敏度测试原理与微频通道衰减值周期检查原理，测量功率开关器件微频信号功率和微频通道衰减值，汇总微频通道衰减值和最后1次开关灵敏时的衰减值，得到其灵敏度。实验结果表明：所提测试技术在测量灵敏度过程中，平均测试误差为0.044 dB，仅平均花费9.61 ms，是一种高效、可靠的半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术。