在电动汽车中，半导体器件被大量应用于充电、电池管理等系统中。由于半导体器件输出结电容随电压升高呈非线性变化，为评估电动汽车不同的运行状态下的开关损耗、 延长电池寿命并优化性能带来较大挑战。为了准确提取高压工况下的输出结电容，本文提出一种基于关断瞬态高频振荡频率的输出结电容提取方法。首先，本文探讨了器件关断瞬态激发的高频振荡频率与结电容的数学关系，并形成了对应的提取步骤。其次，从寄生电感、寄生电阻两方面对影响精度的因素进行讨论。最后，搭建测试平台并对不同型号及封装的半导体器件进行提取结果的验证。实验表明，所提方法能够提取器件额定工作点处的输出结电容值，具有测试一致性高、可扩展性强等优势。