高强度聚焦超声（HIFU）功率源直接影响HIFU治疗的有效性和安全性。受功率MOSFET极间电容和导通电阻等寄生参数的影响，基于E类功率放大电路的HIFU功率源实际工作特性常偏离理想条件下的理论设计值。在理论设计的基础上，结合功率MOSFET等效电路模型，采用Saber软件对HIFU功率源的E类放大电路进行仿真，得到了放大器最佳工作状态时的谐振回路参数。实验测试表明，优化后的功率源工作效率和特性有显著的提高。