介绍了一种适用于600 V耗尽型氮化镓（GaN，gallium nitride）器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路，并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因。驱动电路在功率管开启过程的2个阶段采用2种驱动强度的电流，在减小功率管开启过程中dv/dt的同时，保证功率管的开启速度。基于0.35 μm BCD工艺对电路进行仿真验证，结果表明：在600 V输入电压的半桥驱动应用下，驱动电路在GaN功率器件阈值电压前提供700 mA驱动电流，达到阈值电压后提供190 mA稳定驱动电流，开关节点的dv/dt为150 V/ns，传输延迟加开启延迟为20 ns。